(AOF) - L'Institut de Microélectronique (IME - Institute of MicroElectronics), une entité de l'Agence pour la science, la technologie et la recherche (A*STAR), et Soitec ont annoncé un partenariat de recherche pour développer la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), destinés à alimenter les véhicules électriques et les appareils électroniques à haute tension avancés.
Dans le cadre de cette collaboration, les partenaires s'appuieront sur les technologies brevetées de Soitec telle que Smart Cut et sur la ligne de production pilote de l'IME pour fabriquer des substrats SiC de 200 mm de diamètre.
