Airbus et STMicroelectronics annoncent ce jour la signature d'un accord de coopération en recherche et développement dans le domaine des semi-conducteurs d'électronique de puissance. L'objectif est de soutenir le développement de composants de puissance plus efficaces et plus légers, deux critères essentiels pour les avions à propulsion hybride et les ADAV entièrement électriques de demain.

La collaboration s'appuie sur des évaluations déjà réalisées par les deux sociétés dans le but d'explorer les avantages des matériaux semiconducteurs à large bande (WBG: Wide Band Gap) pour l'électrification des avions.

Les matériaux semiconducteurs à large bande tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) présentent des propriétés électriques supérieures à celles des matériaux traditionnels comme le silicium.

De plus, ils permettent de développer des appareils et des systèmes électroniques de haute performance à la fois plus compacts, plus légers et plus efficaces, notamment dans les applications qui exigent des niveaux de puissance, de fréquence ou de température élevés.

La coopération se concentrera sur le développement de composants SiC et GaN, des boîtiers et des modules adaptés aux applications aéronautiques d'Airbus.

Ces composants seront évalués par les deux partenaires au travers de recherches et d'essais avancés réalisés sur des démonstrateurs tels que des unités de commande de moteurs électriques (e-motors), des convertisseurs de puissance haute et basse tensions, et des systèmes de transfert d'énergie sans fil.