(AOF) - Resonac (anciennement Showa Denko K.K.) et Soitec ont signé un accord pour développer des plaques de carbure de silicium (SiC) SmartSiC de 200 mm en utilisant les substrats et les procédés d'épitaxie du premier. " Il s’agit d’une étape majeure pour le déploiement de la technologie de carbure de silicium à haut rendement de Soitec au Japon et sur d'autres marchés internationaux ", explique le groupe technologique français.

" En associant les plaques de carbure de silicium monocristallin de haute qualité de Resonac à la technologie SmartSiC unique de Soitec, nous rendrons encore plus efficace la production de plaques de carbure de silicium de 200 mm tout en diversifiant la chaîne d'approvisionnement en epi-wafers. " a déclaré Makoto Takeda, general manager de la division Device Solutions de Resonac.