ASML et Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) annoncent une initiative collaborative visant à mener la transition de l'industrie des semi-conducteurs vers un photomasque de plus grand format pour la lithographie à ultraviolet extrême (EUV), en vue du développement de la technologie High-NA EUV.
Cette initiative, dévoilée en amont de la conférence SPIE Bacus à Monterey (Californie), vise à établir une ligne pilote de masques de 12 pouces d'ici 2031, afin de préparer pleinement le système de lithographie à une production avancée de noeuds d'ici 2033.
D'après ASML, la transition vers des masques plus grands de 12 pouces (au lieu de 6 pouces actuellement) devrait encore augmenter la productivité des usines, réduire les coûts de fabrication des puces et lever les contraintes de couture, au bénéfice de l'ensemble de l'industrie des semi-conducteurs.
"Cela permettra aux fabricants avancés de puces de tirer pleinement parti des avantages du High-NA EUV (haute ouverture numérique en ultraviolet extrême), rendant les générations futures de puces de pointe plus rentables", selon les deux partenaires.
Un partenariat élargi avec Samsung
Par ailleurs, ASML fait part d'un élargissement de son partenariat stratégique de longue date avec Samsung Electronics, approfondissant sa collaboration sur le High-NA EUV et les technologies avancées de fabrication de semi-conducteurs, qui contribueront à stimuler la prochaine génération d'innovations à l'ère de l'IA.
Samsung rejoindra l'initiative industrielle visant à faire progresser la technologie de photomasque de 12 pouces de nouvelle génération pour la fabrication future, le groupe sud-coréen étant appelé à jouer un rôle critique dans cette transition, selon ASML.
Samsung prévoit également d'introduire la lithographie High-NA EUV d'ASML dans la future production de DRAM à grands volumes, pour la première fois dans le secteur en 2028, "démontrant ainsi la préparation de la technologie High-NA pour supporter des applications avancées de mémoire et de logique".
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