(AOF) - STMicroelectronics a annoncé la construction à Catane (Sicile) d’une nouvelle usine dédiée à la production en grands volumes de plaquettes 200 mm en carbure de silicium (SiC) pour composants et modules de puissance, ainsi qu’aux activités de test et de conditionnement. Un programme d’investissement pluriannuel de 5 milliards d’euros est prévu, dont 2 milliards d’euros de soutien de l’État italien dans le cadre du Chips Act européen.

Cette nouvelle unité devrait démarrer la production en 2026 et atteindre sa pleine capacité d'ici 2033, pour produire jusqu'à 15 000 plaquettes par semaine à pleine capacité.

"Ensemble, l'unité de fabrication de substrats en SiC en cours de construction sur ce même site et cette nouvelle usine formeront le Silicon Carbide Campus de ST, concrétisant la vision de la société d'une installation de production entièrement intégrée verticalement et dédiée à la production de masse de carbure de silicium sur un seul site", explique le groupe franco-italien.

"L'envergure et les synergies apportées par ce projet nous permettront d'innover davantage avec une capacité de production en grands volumes (…)", a déclaré le PDG, Jean-Marc Chéry.

STMicroelectronics rappelle que le carbure de silicium est un matériau clé (et une technologie), qui présente plusieurs avantages par rapport au silicium conventionnel pour les applications de puissance. La large bande (WBG - Wide Bandgap) du SiC et ses caractéristiques intrinsèques - meilleure conductivité thermique, vitesse de commutation plus élevée, faible dissipation - en font une technologie particulièrement adaptée à la fabrication de composants de puissance fonctionnant à des tensions élevées.